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BSZ0902NS MOSFET N-Ch 30V 规格信息

时间:2019-08-16 10:08发布企业:深圳市安富世纪电子有限公司
联系人:谢梓云电话:19924902278Q Q:

           安富世纪代理TI德州仪器分销现货商

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息 
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 26 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 48 W
配置: Single
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.1 mm 
长度: 3.3 mm 
晶体管类型: 1 N-Channel 
宽度: 3.3 mm 
商标: Infineon Technologies 
下降时间: 3.6 nS 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 5.2 nS 
工厂包装数量: 5000 
子类别: MOSFETs 
典型关闭延迟时间: 21 nS 
零件号别名: BSZ0902NSATMA1 BSZ92NSXT SP000854386 
单位重量: 100 mg 

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