型号: SI3872DV-T1
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N and P-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V, 20 V
漏极连续电流: 2.5 A, 1.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.085 Ohms, 0.16 Ohms
配置: Dual
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
封装: Reel
栅极电荷 Qg: 2.1 nC, 2.7 nC
功率耗散: 1.15 W
工厂包装数量: 3000
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