制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
Pd-功率耗散: 150 W
配置: Single
商标名: FDmesh
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: STB24N60DM2
商标: STMicroelectronics
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.7 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 4 g 