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STB24N60DM2 场效应管 PDF价格图片

时间:2020-03-07 10:18发布企业:深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人:钟丽君电话:13928452225Q Q:

制造商: STMicroelectronics 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-263-3 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 600 V 
Id-连续漏极电流: 18 A 
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V 
Qg-栅极电荷: 29 nC 
Pd-功率耗散: 150 W 
配置: Single 
商标名: FDmesh 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
封装: Reel 
系列: STB24N60DM2  
商标: STMicroelectronics  
下降时间: 15 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 8.7 ns  
工厂包装数量: 1000  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 60 ns  
典型接通延迟时间: 15 ns  
单位重量: 4 g