3DG6按型号后缀不同分为四个档次，其参数如下：
耗散总功率Ptot=100mW (Tamb=25℃)
最大集电极电流ICM=20mA
最高结温TJM=175℃
集电极-基极反向击穿电压BVCBO： (IC=100μA)
3DG6A≥30V; 3DG6B≥45V; 3DG6C≥45V; 3DG6D≥45V
集电极-发射极反向击穿电压BVCEO： (IC=100μA)
3DG6A≥20V; 3DG6B≥30V; 3DG6C≥30V; 3DG6D≥40V
发射极-基极反向击穿电压BVEBO≥4V (IE=100μA)
集电极-发射极饱和压降VCE(sat)≤0.35V (IC=10mA; IB=1mA)
基极-发射极饱和压降VBE(sat)≤1.1V (IC=10mA; IB=1mA)
集电极-基极反向漏电流ICBO≤10nA (VCB=10V)
集电极-发射极反向漏电流ICEO≤10nA (VCE=10V)
发射极-基极反向漏电流IEBO≤10nA (VEB=2V)
直流电流放大倍数HFE≥30
特性频率fT：
3DG6A≥100MHz; 3DG6B≥150MHz; 3DG6C≥250MHz; 3DG6D≥150MHz
