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FDMS4D0N12C 到货30k
时间：
2020-03-27 09:32
发布企业：
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：
刘财路
电话：
13410000176
Q Q：
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制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PQFN-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Id-连续漏极电流: 114 A
Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 82 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 106 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 144 S
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
产品广泛应用于工业自动化，医疗设备，电机控制，光模块，电源系统，仪器仪表，智能家居，电网自动化，通信，汽车电子等。
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