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FDPF8D5N10C 到货30k

时间:2020-03-28 09:40发布企业:深圳市创芯弘科技有限公司
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制造商: ON Semiconductor 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-220F-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 100 V 
Id-连续漏极电流: 76 A 
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V 
Qg-栅极电荷: 34 nC 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 175 C 
Pd-功率耗散: 35 W 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
封装: Tube 
商标: ON Semiconductor  
正向跨导 - 最小值: 68 S  
下降时间: 4 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 11 ns  
工厂包装数量: 1000  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 18 ns  
典型接通延迟时间: 12 ns

 
产品广泛应用于工业自动化,医疗设备,电机控制,光模块,电源系统,仪器仪表,智能家居,电网自动化,通信,汽车电子等。
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