NVD5117PLT4G-VF01 到货30k
时间：2020-03-28 09:44发布企业：深圳市创芯弘科技有限公司
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制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 61 A
Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 85 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 118 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 30 S
下降时间: 132 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 195 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
产品广泛应用于工业自动化，医疗设备，电机控制，光模块，电源系统，仪器仪表，智能家居，电网自动化，通信，汽车电子等。
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