制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 18 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流: 10 A
输出功率: 890 W
最大漏极/栅极电压: -
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: H-36248-2
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作频率: 960 MHz to 1.215 GHz
商标: Wolfspeed / Cree
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
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