FCH125N65S3R0-F155 到货60k

时间：2020-03-29 10:12发布企业：深圳市创芯弘科技有限公司

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制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 24 A
Rds On-漏源导通电阻: 125 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 46 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 181 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
系列: SuperFET3
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 16 S
下降时间: 4.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
工厂包装数量: 450
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 48 ns
典型接通延迟时间: 21 ns

产品广泛应用于工业自动化，医疗设备，电机控制，光模块，电源系统，仪器仪表，智能家居，电网自动化，通信，汽车电子等。
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