英飞凌MOS管有哪些？
BSC035N10Ns
制造商：INFINEON TECHNOLOGIES
晶体管类型：N-MOSFET
技术：OptiMOS™ 5
极化：单极
漏极-源极电压：100V
漏极电流:100A
耗电：156W
封装：PG-TDSON-8
栅极-源极电压：±20V
开启状态电阻：3.5mΩ
安装：SMD
本方案使用了英飞凌5V~20V宽输出电压范围AC-DC Controller ICE2QS03G作为功率转换控制芯片，CoolMOS IPL65R190E6作为反激开关管，IR1161LTRPBF作为次级同步整流控制芯片，BSC035N10NS5作为次级同步整流MOSFET。本方案支持恒压，恒流，恒功率三种输出模式，最大输出功率为60W，最高转换效率可为91%以上。，通过USB PD协议，实现智能供电。
方案特点 ：
• 采用了英飞凌的宽电压范围调制技术以及CoolMOS技术，具有宽输出，高效率的特性。
• 可实现5V~20V以内任意电压的恒压输出，100mA~5A以内的任意电流恒流输出以及300mW~60W恒功率输出。
• 让负载通过USB PD协议对适配器进行编程，按照最佳供电效率的方式，给负载供电。
应用领域 ：
AC/DC开关电源领域
该项目使用的物料清单 ：
类型 器件型号
功率MOSFET IPL65R190E6
AD-DC Controller ICE2QS03G
SR Controller BSC035N10NS5
USB PD Controller LDR6022
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