MOSFET Infineon Technologies IPT60R065S7XTMA1

时间：2020-05-18 18:16发布企业：深圳市斌腾达科技有限公司

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MOSFET Infineon Technologies IPT60R065S7XTMA1 HSOF-8 19+ 全新原装正品全系列MOS英飞凌公司大量原装现货欢迎来电咨询！！

MOSFET HIGH POWER_NEW

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

HSOF-8

通道数量:

1 Channel

晶体管极性:

N-Channel

ds-漏源极击穿电压:

600 V

Id-连续漏极电流:

8 A

Rds On-漏源导通电阻:

65 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

12 V

gs th-栅源极阈值电压:

3.5 V

Qg-栅极电荷:

51 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

167 W

配置:

Single

通道模式:

Enhancement

封装:

Cut Tape

封装:

Reel

晶体管类型:

1 N-Channel

商标:

Infineon Technologies

下降时间:

9 ns

产品类型:

MOSFET

上升时间:

5 ns

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MOSFET Infineon Technologies IPT60R065S7XTMA1

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: HSOF-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

ds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 8 A

Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 12 V

gs th-栅源极阈值电压: 3.5 V

Qg-栅极电荷: 51 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 167 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: Reel

晶体管类型: 1 N-Channel

商标: Infineon Technologies

下降时间: 9 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

HSOF-8

通道数量:

1 Channel

晶体管极性:

N-Channel

ds-漏源极击穿电压:

600 V

Id-连续漏极电流:

8 A

Rds On-漏源导通电阻:

65 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

12 V

gs th-栅源极阈值电压:

3.5 V

Qg-栅极电荷:

51 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

167 W

配置:

Single

通道模式:

Enhancement

封装:

Cut Tape

封装:

Reel

晶体管类型:

1 N-Channel

商标:

Infineon Technologies

下降时间:

9 ns

产品类型:

MOSFET

上升时间:

5 ns