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制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:3.2 A
Rds On-漏源导通电阻:64 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:26 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.5 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:TrenchFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1.04 mm
长度:6.15 mm
系列:SI7
晶体管类型:1 P-Channel
宽度:5.15 mm
商标:Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值:16 S
下降时间:30 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:9 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:65 ns
典型接通延迟时间:8 ns
零件号别名:SI7465DP-GE3
单位重量:506.600 mg
产品广泛应用于工业自动化，医疗设备，电机控制，光模块，电源系统，仪器仪表，智能家居，电网自动化，通信，汽车电子等。
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