一般信息
数据列表
TPS1101, TPS1101Y;
标准包装
2,500
包装
标准卷带
零件状态
有源
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列
-
其它名称
TPS1101DRG4
TPS1101DRG4-ND
规格
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
15V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
90 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
11.25nC @ 10V
Vgs（最大值）
+2V，-15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
791mW（Ta）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）