FF900R12IP4 到货30k

时间：2020-07-05 10:03发布企业：深圳市创芯弘科技有限公司

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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 900 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 5.1 kW
封装 / 箱体: PRIME2
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 38 mm
长度: 172 mm
技术: Si
宽度: 89 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 3
子类别: IGBTs
零件号别名: FF900R12IP4BOSA2 SP000609750 FF900R12IP4BOSA2
单位重量: 825 g

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图像	制造商零件编号	描述	库存
		门驱动器	1,991
		二极管 - 通用，功率，开关	991
		运算放大器 - 运放	4,602
		SCR模块	5

产品广泛应用于工业自动化，医疗设备，电机控制，光模块，电源系统，仪器仪表，智能家居，电网自动化，通信，汽车电子等。
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