FF225R17ME4 已到货

时间：2020-07-09 08:38发布企业：深圳市创芯弘科技有限公司

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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 1.95 V
在25 C的连续集电极电流: 340 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 1500 W
封装 / 箱体: Module
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
技术: Si
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FF225R17ME4BOSA1 SP000408720 FF225R17ME4BOSA1
单位重量: 345 g

图像	制造商零件编号	描述	库存
		IGBT 模块	8
		门驱动器	25

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