IPG16N10S461ATMA1 Infineon MOSFET MOSFET MOSFET 全新原装正品 全系列优势特价产品 欢迎来电咨询！！
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安装风格:
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SMD/SMT
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封装 / 箱体:
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TDSON-8
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晶体管极性:
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N-Channel
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通道数量:
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2 Channel
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Vds-漏源极击穿电压:
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100 V
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Id-连续漏极电流:
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16 A
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Rds On-漏源导通电阻:
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53 mOhms, 53 mOhms
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Vgs - 栅极-源极电压:
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20 V
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Vgs th-栅源极阈值电压:
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2 V
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Qg-栅极电荷:
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7 nC
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最小工作温度:
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- 55 C
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最大工作温度:
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+ 175 C
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Pd-功率耗散:
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29 W
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通道模式:
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Enhancement
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资格:
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AEC-Q101
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封装:
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Cut Tape
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封装:
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MouseReel
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封装:
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Reel
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配置:
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Dual
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高度:
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1.27 mm
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长度:
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5.9 mm
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晶体管类型:
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2 N-Channel
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宽度:
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5.15 mm
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商标:
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Infineon Technologies
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下降时间:
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5 ns, 5 ns
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产品类型:
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MOSFET
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上升时间:
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1 ns, 1 ns
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也因此包括中兴、阿里巴巴、OPPO、小米等都已开始着手研发芯片，而台湾IC设计服务业者如创意、智原、世芯等，已成大陆系统厂投入芯片委托设计（NRE）最主要合作伙伴，而且在研发自有芯片过程中最重要的硅智财（IP）扮演重要角色，包括力旺、亿而得、M31、晶心科等台湾业者亦直接受惠。美国对于华为提出的最新禁令，要求所有使用美国电子设计自动化（EDA）等软体、及以使用美国生产的半导体设备等晶圆代工厂，不能为华为海思生产芯片。
美国给了120天的宽限期，但须是台湾时间5月15日公布新的禁令前，就已开始生产制程的晶圆，才能在120天内出货给华为海思且不受限制。所以，包括台积电、中芯国际、三星等晶圆代工业者，禁令发布后已无法替华为海思代工芯片，未来在没有获得美国许可情况下，就无法为华为海思代工。
另外，美国商务部于4月27日加强对技术出口的限制，以防止中国、俄罗斯、委内瑞拉，通过民用供应链实体获取可用于发展武器、军机、监视的美国产品与技术，并发布军用最终使用许可控制扩大（MEU）、民用最终使用豁免许可废除（CIV）、额外允许再出口（APR）豁免许可废止等法令。美国国防部日前已列出包括华为、海康威视、中国移动等20家企业，为中国大陆军方拥有或控制企业黑名单中。
贸易战随着华为禁令野火燎原，虽然包括华为在内并被列入黑名单的大陆手机厂及系统厂，仍可向联发科、瑞昱、三星等独立第三方（third party）芯片供应商采购，但这不是长久之计。因此，当地系统厂已开始持续进行去美化，降低对美国半导体厂采买芯片比重，并转向台湾、日本、韩国、甚至是中国当地的半导体厂采购。
大陆系统厂或手机厂也跟随华为脚步，开始走向自行研发芯片方向前进。事实上，大陆官方成立大基金，透过补贴方式全力扶植中国半导体产业，大幅降低当地业者研发自有芯片成本。
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