IPB042N10N3G IPB042N IPB042N10N TO-263-3 芯片， 晶体管 - FET，MOSFET - 单个。

深圳市坤融电子科技有限公司

产品信息

数据列表           IPB042N10N3 G;
标准包装           1,000
包装                 标准卷带 
零件状态          有源
类别                 分立半导体产品
产品族              晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列                 OptiMOS™
其它名称           IPB042N10N3 G
                        IPB042N10N3 G-ND
                        IPB042N10N3 GTR-ND
                        IPB042N10N3G
                        IPB042N10N3GATMA1TR
                        SP000446880

规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 117nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 8410pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 214W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

相关产品型号如：IPB065N15N3G、IPB072N15N3G、IPB107N20N3 G、IPB107N20N3G、IPB117N20NFD、IPB200N25N3G、IPB320N20N3G、IPB600N25N3G 和 IPB60R099C6 等，如有需要，欢迎垂询。谢谢！

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