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产品信息
数据列表 IPx80R2K8CE;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 CoolMOS™ CE
其它名称 IPD80R2K8CEATMA1-ND
IPD80R2K8CEATMA1TR
SP001130970
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 800V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.8 欧姆 @ 1.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 12nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 290pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 42W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相关产品型号如：IPL60R065C7、IPL60R075CFD7、IPL60R104C7、IPL60R180P6、IPL60R185C7、IPL60R185P7、IPL60R199CP、IPL60R285P7 和 IPL60R299CP 等，如有需要，欢迎垂询。谢谢！
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