深圳市恒科翔业电子有限公司
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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200V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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120mA（Ta）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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2.6V，5V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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30 欧姆 @ 100mA，5V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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-
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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85pF @ 25V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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500mW（Ta）
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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通孔
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供应商器件封装
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E-Line（TO-92 兼容）
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封装/外壳
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E-Line-3
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产品广泛应用于工业自动化，医疗设备，电机控制，机器人技术，电源系统，仪器仪表，智能家居，电网自动化，通信，汽车电子等。
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