深圳市恒科翔业电子有限公司
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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900V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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15A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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340 毫欧 @ 9.2A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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3.5V @ 1mA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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94nC @ 10V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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2400pF @ 100V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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208W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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通孔
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产品广泛应用于工业自动化，医疗设备，电机控制，机器人技术，电源系统，仪器仪表，智能家居，电网自动化，通信，汽车电子等。
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