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FF900R12IP4 到货4包
时间：
2020-09-01 15:17
发布企业：
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：
刘财路
电话：
13410000176
Q Q：
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制造商:
Infineon
产品种类:
IGBT 模块
RoHS:
详细信息
产品:
IGBT Silicon Modules
配置:
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:
1200 V
集电极—射极饱和电压:
2.1 V
在25 C的连续集电极电流:
900 A
栅极—射极漏泄电流:
400 nA
Pd-功率耗散:
5.1 kW
封装 / 箱体:
PRIME2
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 150 C
封装:
Tray
高度:
38 mm
长度:
172 mm
技术:
Si
宽度:
89 mm
商标:
Infineon Technologies
安装风格:
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压:
20 V
产品类型:
IGBT Modules
工厂包装数量:
3
子类别:
IGBTs
零件号别名:
FF900R12IP4BOSA2 SP000609750 FF900R12IP4BOSA2
单位重量:
825 g
门驱动器
1,600
二极管 - 通用，功率，开关
805
运算放大器 - 运放
产品广泛应用于工业自动化，医疗设备，电机控制，光模块，电源系统，仪器仪表，智能家居，电网自动化，通信，汽车电子等。
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