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制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN8x8-5
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 13.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 280 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 35 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 139 W
通道模式: Enhancement
商标名: DTMOSIV
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
系列: TK14V65W
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Toshiba
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 60 ns
单位重量: 175 mg
DTMOSIV Series MOSFETs
Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
产品广泛应用于工业自动化，医疗设备，电机控制，光模块，电源系统，仪器仪表，智能家居，电网自动化，通信，汽车电子等。
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