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TK31Z60X 到货20k

时间:2020-09-11 11:16发布企业:深圳市创芯弘科技有限公司
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制造商:    Toshiba    
产品种类:    MOSFET    
RoHS:     详细信息    
技术:    Si    
安装风格:    Through Hole    
封装 / 箱体:    TO-247-4    
晶体管极性:    N-Channel    
通道数量:    1 Channel    
Vds-漏源极击穿电压:    600 V    
Id-连续漏极电流:    30.8 A    
Rds On-漏源导通电阻:    88 mOhms    
Vgs - 栅极-源极电压:    - 30 V, + 30 V    
Vgs th-栅源极阈值电压:    3.5 V    
Qg-栅极电荷:    65 nC    
最小工作温度:    - 55 C    
最大工作温度:    + 150 C    
Pd-功率耗散:    230 W    
通道模式:    Enhancement    
商标名:    DTMOSIV-H    
封装:    Tube    
配置:    Single    
晶体管类型:    1 N-Channel    
商标:    Toshiba    
下降时间:    6 ns    
产品类型:    MOSFET    
上升时间:    20 ns    
工厂包装数量:    25    
子类别:    MOSFETs    
典型关闭延迟时间:    130 ns    
典型接通延迟时间:    50 ns    
单位重量:    6.350 g

 

DTMOSIV-H MOSFETs

Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs are suited to applications that require high reliability, power efficiency and a compact design, such as high efficiency switching power supplies for servers and telecom base stations, and as power conditioners for photovoltaic inverters. The DTMOSIV-H MOSFETs achieve a high speed switching performance while keeping the low ON-resistance level of conventional DTMOSIV, and without loss of power. This is accomplished through the reduction of parasitic capacitance between Gate and Drain, which also contributes to improved power efficiency and downsizing of products.


产品广泛应用于工业自动化,医疗设备,电机控制,光模块,电源系统,仪器仪表,智能家居,电网自动化,通信,汽车电子等。
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