飞兆MOSFET推出可将导通电阻降低50％的100V

飞兆半导体公司 ( Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V 器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封装的100V 器件，使用了飞兆半导体先进的PowerTrench® 工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健性。相比栅级电荷相同的现有解决方案，这一专有工艺技术提供了业界最低的RDS (ON) (8 mΩ)，使FDMS86101得以减小导通损耗，而不会受到较高栅级电荷的影响。以太网、刀片服务器和电信应用正逐渐从12V转向48V电源，对于优化开关效率的需求变得越来越重要。

PowerTrench  内置增强型软体 (soft-body) 二极管，可以减小开关噪声并降低应用的EMI 敏感性。这项功能可以节省线路板空间和减少组件数目，而许多替代解决方案却需要加入一个缓冲器网络才能减小开关噪声尖峰。

FDMS86101是飞兆半导体全面的PowerTrench MOSFET产品系列的一员，能够满足当今电子产品的电气和热性能要求，有助于实现更高的能效。飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET工艺技术能够实现非常低的米勒电荷(QGD)、RDS(on) 和总栅极电荷 (QG)，从而获得出色的开关性能和热效率。

类别:分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商ON Semiconductor系列PowerTrench

包装:剪切带（CT）

零件状态:在售

类型:N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）:100V

电流 - 连续漏极:（Id）（25°C 时）13A（Ta），60A（Tc）

驱动电压（最大 Rds _disibledevent="" />