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MOSFET IPB9R340C3ATMA1 中文资料-数据手册

时间:2020-09-15 09:35发布企业:深圳市天卓伟业电子有限公司
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MOSFET  IPB9R340C3ATMA1 中文资料-数据手册

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 15 A
Rds On-漏源导通电阻: 280 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 94 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 208 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
系列: CoolMOS C3
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 25 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 400 ns
典型接通延迟时间: 70 ns
零件号别名: IPB90R340C3 SP000944226
单位重量: 4 g

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