MOSFET CSD17313Q2Q1 WSON-FET-6使用方法
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WSON-FET-6
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 32 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Qg-栅极电荷: 2.1 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.3 W
资格: AEC-Q101
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 0.75 mm
长度: 2 mm
系列: CSD17313Q2Q1
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 2 mm
商标: Texas Instruments
正向跨导 - 最小值: 16 S
下降时间: 1.3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.9 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 4.2 ns
典型接通延迟时间: 2.8 ns
单位重量: 8.700 mg
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制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WSON-FET-6
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 32 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Qg-栅极电荷: 2.1 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.3 W
资格: AEC-Q101
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 0.75 mm
长度: 2 mm
系列: CSD17313Q2Q1
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 2 mm
商标: Texas Instruments
正向跨导 - 最小值: 16 S
下降时间: 1.3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.9 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 4.2 ns
典型接通延迟时间: 2.8 ns
单位重量: 8.700 mg