Infineon Technologies OptiMOS™ 5 MOSFET
英飞凌 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 既提升了系统效率又降低了系统成本。相较于其他备选产品，这些器件具有更低的 RDS(on) 和品质因数(RDS(on) x Qg)。它们采用全新硅技术进行设计，经过优化可达到并超过能源效率和功率密度要求。这些 MOSFET 的典型应用有计算机领域中的服务器、数据通信和客户端应用。它们还可用于开关模式电源(SMPS)中的同步整流以及电机控制、微型太阳能逆变器和快速开关直流/直流转换器。
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25V和30V功率mosfet
英飞凌OptiMOS™5 25V和30V功率mosfet提供了基准解决方案，使最高的功率密度和能源效率，无论是在待机和全面运行。这些mosfet是基于一种新的硅技术，优化以满足和超过能源效率和功率密度的要求。
这些都是基于更严格的下一代电压调节标准在直流/直流应用。OptiMOS™5产品适用于计算行业中广泛的电压调节应用。这包括服务器、数据通信和客户端应用程序，同时专注于英特尔的VR和IMVP平台。
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特性
•最佳级对状态电阻
基准切换性能(Ron x Qg和Ron x Qgd的最低优点)
•符合RoHS，无卤素
•优化EMI行为(集成阻尼网络)
•最高效率
•最高功率密度与S3O8或电源块包
•降低总体系统成本
•高开关频率运行
应用程序
•桌面和服务器
•单相和多相PoL
•笔记本电脑的CPU/GPU电压调节
•高功率密度稳压器
•和ing
•E-fuse
SYSTEM EFFICIENCY
40V和60V功率mosfet
英飞凌OptiMOS™5 40V和60V功率mosfet的设计旨在满足提高系统效率和功率密度的同时降低系统成本的挑战。与其他器件相比，这些mosfts具有比RDS(on)低15%和比RDS(on) x Qg低31%的优点。这使它们成为应对这些挑战的完美答案。
这些设备被优化为同步整流开关电源(SMPS)，以及广泛的工业应用，如电机控制，太阳能微型逆变器和快速开关DC/DC转换器。
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特性
•行业首个1 mΩ40 v和1.4 mΩ60 v SuperSO8包
•单片集成肖特基式二极管
•符合RoHS标准-无卤素
•MSL1额定
•最高的系统效率和功率密度
•非常低的电压超调
•减少对缓冲电路的需求
•减少设备并联需求
•降低工程成本和工作量
应用程序
•同步整流
•太阳能微型逆变器
•隔离DC/DC转换器
•低压电机控制
•和ing开关
RDS(ON) COMPARISONS
80V和100V功率mosfet
英飞凌OptiMOS™5 80V和100V功率mosfet是专为电信和服务器电源同步整流而设计的最新一代mosfet。这些设备也可以用于其他工业应用，如太阳能，低压驱动器和适配器。
新OptiMOS™5 80V和100V mosfet提供了7种不同的封装，提供了业界最低的RDS(on)。最大的贡献者之一这个行业领先的FOM的低开态阻力值低至2.7 mΩ超级8包,提供最高水平的功率密度和效率。
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特性
•同步整流优化
•适用于高开关频率
•输出电容提高高达44%
•RDS(on)比上一代减少了43%
•最高的系统效率
•降低开关和传导损耗
•所需的并行性更少
•增加功率密度
•5V低电压超调
应用程序
•电信
•服务器
•太阳能
•低压驱动器
•轻型电动汽车
•适配器
PERFORMANCE COMPARISONS
150 v功率场效应管
英飞凌OptiMOS™5 150V功率mosfet适用于叉车、电动摩托车、电信和太阳能等低压驱动。150V mosfts提供了高达25%的减少RDS(on)和Qrr，而不影响丰gd。这减少了设计工作，优化了系统效率。超低反向恢复费用(最低Qrr在SuperSO8 = 26nC)增加换向耐用性。
OptiMOS 5 150V技术使更小的一流超级so8 (PQFN 5x6)封装设备取代to -220替代方案。由于封装电感的降低，该开关提供了更高的功率密度和更低的电压超调(VDS)。
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特性
•降低RDS(on)，同时不影响FOMgd和FOMOSS
•降低输出电荷
•超低反向回收费用
•增加换向耐用性
•更高的开关频率
应用程序
•低电压驱动
•电信
•太阳能
PERFORMANCE COMPARISONS
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