深圳市恒科翔业电子有限公司
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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100V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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9.4A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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210 毫欧 @ 5.6A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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4V @ 250µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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25nC @ 10V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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330pF @ 25V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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48W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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D-Pak
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