英飞凌科技公司扩大了其CoolMOS®功率晶体管的供应，该产品采用了一种革命性的高压功率mosfet技术，根据超结(SJ)原理设计。这些CoolMOS®功率晶体管提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供了一个非常快和强大的体二极管。酷睿®功率晶体管特别适用于PC银盒、液晶电视、照明、服务器和电信应用的谐振开关PWM级。
C3场效电晶体
英飞凌500V/600V/650V酷睿mos™C3 mosfet具有极低的通态电阻(RDS(on)* a)，实现了极低的传导和开关损耗，使开关应用更加高效。这些设备使用现场证明的CoolMOS质量，提供卓越的成本和性能。这些mosfet非常适合在服务器、电信、消费者、PC电源和适配器应用程序中使用。
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英飞凌800V CoolMOS™C3 mosfet由于具有较低的比通态电阻(RDS(on)* a)，实现了极低的传导和开关损耗，使开关应用程序更高效、更紧凑、更轻和更冷。此外，该系列产品具有优异的性价比。800V CoolMOS™C3产品经过优化，在太阳能逆变器、工业逆变器、三相拓扑结构、PC电源、适配器、液晶电视和照明等应用中易于使用和提高效率。
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英飞凌900V CoolMOS™C3 mosfet基于充电补偿的器件概念，与其他900V传统mosfet相比，每个封装类型的RDS(on)可显著降低四倍或更多的on电阻。900V的CoolMOS™C3还提供了一个非常低的性能数字- _disibledevent="col-xs-5">
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