SI2312CDS-T1-GE3 现货

制造商:

Vishay

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOT-23-3

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

20 V

Id-连续漏极电流:

6 A

Rds On-漏源导通电阻:

31.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

450 mV

Qg-栅极电荷:

18 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

2.1 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

TrenchFET

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

封装:

Reel

配置:

Single

高度:

1.45 mm

长度:

2.9 mm

系列:

SI2

晶体管类型:

1 N-Channel

宽度:

1.6 mm

商标:

Vishay Semiconductors

正向跨导 - 最小值:

24 S

下降时间:

8 ns

产品类型:

MOSFET

上升时间:

17 ns

工厂包装数量:

3000

子类别:

MOSFETs

典型关闭延迟时间:

31 ns

典型接通延迟时间:

8 ns

零件号别名:

SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3

单位重量:

8 mg