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产品分类
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MOSFETs
晶体管
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FET配置（电路类型）
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N沟道
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漏源击穿电压V(BR)dss
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30V
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漏极电流（Id, 连续）
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4.2A（Ta）
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导通电阻 Rds（on）
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50毫欧
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阈值电压Vgs(th)
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2.5V@250µA
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最大耗散功率
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-
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封装/外壳
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SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)
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