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BFP 640FESD H6327 介绍
时间：
2019-07-23 08:44
发布企业：
深圳市三砖科技有限公司
联系人：
黄奕锦
电话：
18818587758
Q Q：
英飞凌技术射频晶体管
英飞凌射频晶体管包括低噪声放大器和高线性度晶体管。低噪声类器件基于硅双极技术。fT < 20ghz的适度过渡频率提供了易用性和稳定性。击穿电压可安全支持电源电压为5V。这些晶体管适用于AM超过VHF/UHF高达14ghz的场合。高线性晶体管提供的OIP3(输出三阶截点)超过29 dBm。他们是基于英飞凌的高容量硅双极和SiGe:C技术的最佳级噪声数字。这些设备是理想的驱动器，前置放大器和缓冲放大器。
应用程序
司机
前置放大器
缓冲放大器
射频解决方案
查看英飞凌射频解决方案
产品种类:
射频(RF)双极晶体管
RoHS:
系列:
晶体管类型:
Bipolar
技术:
SiGe
发射极 - 基极电压 VEBO:
4.8 V
集电极连续电流:
50 mA
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TSFP-4-1
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
类型:
RF Silicon Germanium
商标:
Infineon Technologies
Pd-功率耗散:
200 mW
产品类型:
RF Bipolar Transistors
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