英飞凌200 - 250 v

HEXFET®功率场效应管

英飞凌200-250V HEXFET®Power mosfet®Power mosfet提供多种mosfet，包括各种封装、电流和RDS(on)评级。这些200-250V HEXFET®功率mosfet采用最新的加工技术，以实现低通电阻每硅区。这一优势，再加上英飞凌HEXFET®Power mosfts的快速开关速度和坚固耐用的设备设计，为设计师提供了一个非常高效和可靠的设备，可用于多种应用。