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制造商:
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Diodes Incorporated
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产品种类:
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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安装风格:
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Through Hole
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封装 / 箱体:
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TO-92-3
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晶体管极性:
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NPN
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配置:
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Single
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集电极—发射极最大电压 VCEO:
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100 V
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集电极—基极电压 VCBO:
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120 V
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发射极 - 基极电压 VEBO:
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5 V
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集电极—射极饱和电压:
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230 mV
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最大直流电集电极电流:
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2 A
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Pd-功率耗散:
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1 W
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增益带宽产品fT:
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175 MHz
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最小工作温度:
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- 55 C
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最大工作温度:
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+ 200 C
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系列:
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封装:
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Bulk
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高度:
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4.01 mm
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长度:
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4.77 mm
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技术:
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Si
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宽度:
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2.41 mm
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商标:
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Diodes Incorporated
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集电极连续电流:
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2 A
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产品类型:
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BJTs - Bipolar Transistors
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4000
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子类别:
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Transistors
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单位重量:
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453.600 mg
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联系人:史仙雁
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