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制造商:
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Infineon
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产品种类:
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MOSFET
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技术:
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Si
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安装风格:
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Through Hole
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封装 / 箱体:
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TO-205AF-3
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晶体管极性:
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P-Channel
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通道数量:
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1 Channel
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Vds-漏源极击穿电压:
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100 V
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Id-连续漏极电流:
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6.5 A
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Rds On-漏源导通电阻:
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345 mOhms
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Vgs - 栅极-源极电压:
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- 20 V, + 20 V
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最小工作温度:
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- 55 C
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最大工作温度:
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+ 125 C
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Pd-功率耗散:
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25 W
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通道模式:
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Enhancement
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配置:
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Single
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高度:
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4.54 mm
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长度:
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8.3 mm
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晶体管类型:
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1 P-Channel
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宽度:
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8.3 mm
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商标:
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Infineon / IR
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下降时间:
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140 ns
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产品类型:
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MOSFET
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上升时间:
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140 ns
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子类别:
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MOSFETs
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典型关闭延迟时间:
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140 ns
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典型接通延迟时间:
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60 ns
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