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ESD5451XZ-2/TR 分立半导体产品 晶体管 MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4

时间:2021-01-13 10:07发布企业:深圳市辰芯伟业科技有限公司
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属性

参数值

 

商品目录

MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

2.8A(Tc)

栅源极阈值电压

2.5V @ 250uA

漏源导通电阻

110mΩ @ 1.4A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

2.1W(Tc)

类型

N沟道

 

产品广泛应用于工业自动化,医疗设备,电机控制,机器人技术,电源系统,仪器仪表,智能家居,电网自动化,通信,汽车电子等。

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