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制造商:
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Diodes Incorporated
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产品种类:
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MOSFET
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技术:
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Si
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安装风格:
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SMD/SMT
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封装 / 箱体:
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SO-8
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晶体管极性:
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N-Channel
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通道数量:
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2 Channel
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Vds-漏源极击穿电压:
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40 V
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Id-连续漏极电流:
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7 A
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Rds On-漏源导通电阻:
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20 mOhms
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Vgs - 栅极-源极电压:
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- 20 V, + 20 V
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Vgs th-栅源极阈值电压:
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3 V
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Qg-栅极电荷:
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43 nC
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最小工作温度:
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- 55 C
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最大工作温度:
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+ 150 C
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Pd-功率耗散:
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1.8 W
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通道模式:
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Enhancement
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封装:
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Cut Tape
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封装:
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MouseReel
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封装:
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Reel
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配置:
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Dual
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系列:
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晶体管类型:
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2 N-Channel
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商标:
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Diodes Incorporated
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下降时间:
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4.8 ns
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产品类型:
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MOSFET
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上升时间:
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7.1 ns
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2500
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子类别:
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MOSFETs
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典型关闭延迟时间:
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15.1 ns
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典型接通延迟时间:
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5.3 ns
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单位重量:
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750 mg
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联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）/0755-82813018
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