IRF7473PBF 场效应管

时间：2021-03-18 15:17发布企业：北京京北通宇电子元件有限公司

联系人：杨彦旭电话：18801286275Q Q：

选择

类别

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

6.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

26 毫欧 @ 4.1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250µA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

2.5W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SO

封装/外壳

8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽）

漏源电压（Vdss）

100V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

61nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

3180pF @ 25V

基本产品编号

IRF7473

其他型号现货

TLS203B0LDVXUMA1

TLD5095ELXUMA1

TLF42772LDXUMA1

SPD50P03LGBTMA1

BSZ019N03LSATMA1

BTS3028SDLATMA1

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IDW100E60FKSA1

1EDF5673KXUMA1

BSZ0909NDXTMA1

BFR193FH6327

AUIRF8739L2TR

BSC0921NDI

CHL8510CRT

BF2040E6814HTSA1

IPB80P04P4L04

IPD90N04S405ATMA1

IPD60N10S4L12

IPN50R2K0CEATMA1

IPA65R110CFDXKSA1

IPA60R099P6XKSA1

IPA075N15N3GXKSA1

IKA15N65H5

IPB019N06L3GATMA1

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