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产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.1 V
Qg-栅极电荷: 45 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
系列: BSZ120P03
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 22 S
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
零件号别名: BSZ120P03NS3E G SP000709730 BSZ12P3NS3EGXT
单位重量: 38.420 mg
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