IPN50R2K0CEATMA1 现货

时间：2021-03-26 09:19发布企业：北京京北通宇电子元件有限公司

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类型描述选择

类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™ CE
包装卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel®
零件状态有源
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2 欧姆 @ 600mA，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 50µA
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 5W（Tc）
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装 PG-SOT223
封装/外壳 SOT-223-3
漏源电压（Vdss） 500 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 124 pF @ 100 V
基本产品编号 IPN50R2

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