英飞凌技术n通道OptiMOS™功率mosfet

英飞凌n通道OptiMOS™功率mosfet是世界领先的功率mosfet，提供最高的功率密度和节能解决方案。超低的门极和输出电荷，以及在小内存占用包中最低的状态电阻，是服务器、数据通信和电信应用程序中电压调整器解决方案的理想选择。超高速开关控制场效应管与低EMI同步场效应管提供的解决方案，易于设计。英飞凌n通道OptiMOS™功率mosfts提供了极好的栅电荷，并优化了DC-DC转换。



OptiMOS™产品可提供高性能的软件包，以解决最具挑战性的应用程序，在优化空间、效率和成本方面具有充分的灵活性。OptiMOS™产品的设计目的是满足并超过计算应用中下一代电压调节标准的能源效率和功率密度要求。



特性

为高性能降压转换器优化了SyncFET

100%雪崩测试

n沟道

非常低的开阻RDS(on) @ VGS=4.5V

给定RDS(on)的超低门(Qg)和输出电荷(Qoss)

根据JEDEC对目标应用程序的认证

优越的热阻

Pb-free电镀;通过无铅认证

无卤符合IEC61249-2-21

应用程序

船上服务器电源

用于高性能计算的电源管理

同步整流

负载变换器的高功率密度点

了解更多关于

英飞凌服务机器人

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 

 

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220FP-3

通道数量:

1 Channel

晶体管极性:

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:

650 V

Id-连续漏极电流:

10.6 A

Rds On-漏源导通电阻:

340 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

20 V

Qg-栅极电荷:

39 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

31 W

配置:

Single

商标名:

封装:

Tube

高度:

16.15 mm

 

长度:

10.65 mm

 

系列:

 

晶体管类型:

1 N-Channel

 

宽度:

4.85 mm

 

商标:

Infineon Technologies

 

产品类型:

MOSFET