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产品属性
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属性值
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搜索类似
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制造商:
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Diodes Incorporated
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产品种类:
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MOSFET
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技术:
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Si
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安装风格:
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SMD/SMT
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封装 / 箱体:
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SOT-963-6
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晶体管极性:
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N-Channel, P-Channel
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通道数量:
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2 Channel
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Vds-漏源极击穿电压:
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20 V
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Id-连续漏极电流:
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450 mA, 310 mA
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Rds On-漏源导通电阻:
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990 mOhms, 1.9 Ohms
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Vgs - 栅极-源极电压:
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- 8 V, + 8 V
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Vgs th-栅源极阈值电压:
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400 mV
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Qg-栅极电荷:
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500 pC, 400 pC
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最小工作温度:
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- 55 C
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最大工作温度:
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+ 150 C
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Pd-功率耗散:
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350 mW
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通道模式:
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Enhancement
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封装:
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Reel
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封装:
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Cut Tape
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封装:
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MouseReel
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商标:
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Diodes Incorporated
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配置:
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Dual
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下降时间:
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6.4 ns, 16.4 ns
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产品类型:
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MOSFET
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上升时间:
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3.3 ns, 5.7 ns
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工厂包装数量
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10000
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子类别:
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MOSFETs
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晶体管类型:
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1 N-Channel, 1 P-Channel
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典型关闭延迟时间:
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19 ns, 31.1 ns
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典型接通延迟时间:
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4 ns, 5.8 ns
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单位重量:
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270 mg
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窗体底端
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
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