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SQJA36EP-T1_GE3 进口代理

时间:2021-11-16 18:02发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人:谭玉丽电话:19129491949(手机优先)微信同号Q Q:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8L-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 350 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 86 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 95 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 506.600 mg