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SCT30N120介绍
时间：
2019-08-16 09:16
发布企业：
深圳市三砖科技有限公司
联系人：
黄奕锦
电话：
18818587758
Q Q：
STMicroelectronics SCTx0N120 碳化硅功率 MOSFET
意法半导体 SCTx0N120 碳化硅功率 MOSFET 采用先进且创新的宽带隙材料制成。这实现了无以匹敌的每单位面积导通电阻和极佳的开关性能（几乎不受温度影响）。碳化硅材料出色的热特性和专有 HiP247™封装使得设计人员能够采用行业标准的外形尺寸，而又大大改善热性能。这些特性使该器件尤其适合高效率、大功率密度的应用。
特性
开关损耗随温度的微小变化
极高工作温度(200℃)
非常快和强大的本征体二极管
低电容
很容易驾驶
应用
太阳能逆变器、UPS
马达驱动器
高压DC-DC转换器
开关式电源
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