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SI2323DDS-T1-GE3 原装代理
时间：
2022-03-03 09:55
发布企业：
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：
谭玉丽
电话：
19129491949(手机优先)微信同号
Q Q：
制造商:
Vishay
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-23-3
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
20 V
Id-连续漏极电流:
5.3 A
Rds On-漏源导通电阻:
39 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1 V
Qg-栅极电荷:
13.6 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1.7 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
TrenchFET
封装:
Reel
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
商标:
Vishay Semiconductors
配置:
Single
下降时间:
11 ns
高度:
1.45 mm
长度:
2.9 mm
产品类型:
MOSFET
上升时间:
22 ns
系列:
SI2
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
晶体管类型:
1 P-Channel
典型关闭延迟时间:
52 ns
典型接通延迟时间:
24 ns
宽度:
1.6 mm
零件号别名:
SI2323DDS-T1-BE3
单位重量:
8 mg
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