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SI3443DDV-T1-GE3 进口代理

时间:2022-03-04 09:17发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人:谭玉丽电话:19129491949(手机优先)微信同号Q Q:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.7 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 18 ns
高度: 1.1 mm
长度: 3.05 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
系列: SI3
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
宽度: 1.65 mm
零件号别名: SI3443DDV-T1-BE3
单位重量: 20 mg