深圳华芯源电子 IPB108N15N3G TO263-3 晶体管供应原装现货
时间：2022-04-13 11:57发布企业：深圳市华芯源电子有限公司
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 83 A
Rds On-漏源导通电阻: 10.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 41 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 214 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 最小值: 94 S
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
系列: OptiMOS 3
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: SP000677862 IPB18N15N3GXT IPB108N15N3GATMA1
单位重量: 4 g