企业新闻
天天IC网
>
企业新闻
半导体 分立半导体 晶体管 MOSFET onsemi / Fairchild FQPF8N60C 深圳市骏思创达科技
时间：
2022-05-05 10:10
发布企业：
深圳市骏思创达科技有限公司
联系人：
李
电话：
13342919596
Q Q：
说明：
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
制造商:
onsemi
产品种类:
MOSFET
RoHS:
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
600 V
Id-连续漏极电流:
7.5 A
Rds On-漏源导通电阻:
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
4 V
Qg-栅极电荷:
28 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
48 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Tube
商标:
onsemi / Fairchild
配置:
Single
下降时间:
64.5 ns
正向跨导 - 最小值:
8.7 S
高度:
16.3 mm
长度:
10.67 mm
产品类型:
MOSFET
上升时间:
60.5 ns
系列:
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
晶体管类型:
1 N-Channel
类型:
MOSFET
典型关闭延迟时间:
81 ns
典型接通延迟时间:
16.5 ns
宽度:
4.7 mm
零件号别名:
FQPF8N60C_NL
单位重量:
2 g
ECAD模型:
上一篇：
嵌入式处理器和控制器 微控制器 - MCU 8位微控制器 -MCU CY95F636KPMC-G-UNE2
下一篇：
VSC410XKM_VITESSE 21+ BGA