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SI7135DP-T1-GE3 VISHAY/威世 21+ 【现货供应 欢迎咨询】
时间：
2022-05-05 15:03
发布企业：
深圳源亚科技有限公司
联系人：
林雾
电话：
17775112811
Q Q：
规格
产品属性
属性值
搜索类似
制造商:
Vishay
产品种类:
MOSFET
RoHS:
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
PowerPAK-SO-8
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
60 A
Rds On-漏源导通电阻:
3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1 V
Qg-栅极电荷:
167 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
104 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
封装:
Reel
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
商标:
Vishay Semiconductors
配置:
Single
下降时间:
30 ns
正向跨导 - 最小值:
95 S
高度:
1.04 mm
长度:
6.15 mm
产品类型:
MOSFET
上升时间:
15 ns
系列:
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
晶体管类型:
1 P-Channel
典型关闭延迟时间:
110 ns
典型接通延迟时间:
25 ns
宽度:
5.15 mm
零件号别名:
SI7135DP-GE3
单位重量:
506.600 mg
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