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IKQ50N120CH3XKSA1正品原装供应

时间:2022-05-17 09:17发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司
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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS:  
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
Pd-功率耗散: 652 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列:
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极最大连续电流 Ic: 100 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 240
子类别: IGBTs
商标名:
零件号别名: IKQ50N120CH3 SP001272708
单位重量: 6 g

Infineon Technologies IKQ50N120CH3XKSA1 默认缩略图

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